南宁工业用遥控电子器供应

　　电子开关的散热设计与可靠性提升

　　大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。

　　图7. 高密度波导热光移相器结构、扫描电镜图、测试结构和测试结果图。 2020年，丹麦技术大学的研究人员采用高密度螺旋形波导实现了热光移相器移相效率、调节速度、面积与损耗的均衡。图8展示了移相器的结构和实验结果，移相效率大约是3.0 mW/π，面积是0.001876 mm2，损耗是0.9 dB，上升时间和下降时间大约是11 μs和7 μs。与高密度波导热光移相器相比，这种移相器具有更低的损耗和更快的调节速度，更加适宜于硅基光学相控阵等大规模网络。

　　什么是pmosPMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。

　　P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和性，与双型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路（见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路）出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

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　　(6). 选中“功能运放(SPECIAL_FUNCTION)”，其“元件”栏中有165种规格功能运放可供调用，主要包括测试运放、视频运放、乘法器/除法器、前置放大器和有源滤波器等。点击“放置基础元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图10所示。

　　基本虚拟元件库

　　(1). 选中“基本虚拟元件库(BASIC_VIRTUAL)”，其“元件”栏中如图11所示:

　　1 继电器 K J

　　2 电流继电器 KA LJ

　　3 负序电流继电器 KAN FLJ

　　4 零序电流继电器 KAZ LLJ

　　5 电压继电器 KV YJ6 正序电压继电器 KVP ZYJ

　　7 负序电压继电器 KVN FYJ

　　8 零序电压继电器 KVZ LYJ

　　9 时间继电器 KT SJ