武汉远程远距离遥控RF无线发射模块定制

　　射频遥控器的抗干扰设计与加密技术

　　2.4GHz射频遥控器面临同频干扰问题，跳频扩频(FHSS)技术可将干扰影响降低80%。AES-128加密算法确保控制信号安全，防止恶意重放攻击。某工业遥控器采用双天线分集接收，信号丢包率控制在0.1%以下。新型LoRa遥控器传输距离达3公里，特别适合塔吊、农业机械等远控场景。值得注意的是，医疗设备专用遥控器必须通过EMC Class B认证，确保不会干扰其他电子设备正常运行。

　　BVC 同轴电缆接插件

　　BRIDEG 1 整流桥(二管)

　　BRIDEG 2 整流桥(集成块)

　　BUFFER 缓冲器

　　BUZZER 蜂鸣器

　　CAPACITOR 电容

　　CAPACITOR POL 有性电容CAPVAR 可调电容

　　CIRCUIT BREER 熔断丝

　　（4）电流方程:在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即:

　　各种场效应管特性比较

　　P沟MOS晶体管

　　金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源和漏，两之间不通导，柵上加有的正电压(源接地)时，柵下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源和漏的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

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　　选中“控制函数块(CONTROL_FUNCTION_BLOCKS)”，其“元件”栏下内容如图6所示:5. 选中“电压控源(CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图7所示:

　　6. 选中“电流控源(CONTROLLED_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图8所示:

　　7. 点击“放置模拟元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图9 所示。

　　可调电阻;res1.....定值无性电容；CAP

　　定值有性电容;CAP

　　半导体电容:CAPSEMI

　　可调电容:CAPVAR

　　3.电感:INDUCTOR

　　4.二管:DIODE.LIB

　　发光二管:LED

　　5.三管 :NPN1

　　6.结型场效应管:JFET.lib