白沙黎族自治县双控RF无线发射模块生产厂家

　　触摸式电子开关的人机交互设计

　　电容式触摸开关通过检测人体微电流实现控制，灵敏度可调范围5-50pF。防误触设计包括延时触发、二次确认等机制，某品牌面板开关采用压力感应技术，需施加500g力度才响应操作。LED呼吸灯效果可直观显示开关状态，部分产品集成接近感应功能，人手靠近时自动亮起背光。最新研发的透明导电膜技术，允许在玻璃表面实现全透明触摸开关，广泛应用于智能卫浴和高端家电。

　　33、foot-switch脚踏开关forward switching loss正向开关损耗four-channel switch四路转换开关four-layer switch四层开关four-point switch四接点开关four-way switch四路开关 ; 四通开关four-wire cross bar switching system四线纵横交换制four-wire switching四线制交换four-wire switching centre四线制交换中心frame-type switch-board骨架式配电盘frequency switching频率开关front conne

　　（4）电流方程:在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即:

　　各种场效应管特性比较

　　P沟MOS晶体管

　　金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源和漏，两之间不通导，柵上加有的正电压(源接地)时，柵下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源和漏的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

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　　11、码条式自动电话交换机colour switching颜变换 ; 彩图像开关combination switch复合开关combined line switchboard结合寻线机台 ; 混合接续制开关台combined switch组合开关command switch命令开关common battery switchboard共电式交换机common control switching arrangement (CCSA) 公共控制开关装置 ; 公用控制交换网 ; 公用控制转换设备communication switching通信转接communication switching unit

　　(14). 选中“P沟道增强型MOS管(MOS_3TEP)”，其“元件”栏中有157种规格MOSFET管可供调用。(15). 选中“N沟道耗尽型结型场效应管 (JFET_N)”，其“元件”栏中有263种规格JFET管可供调用。(16). 选中“P沟道耗尽型结型场效应管(JFET_P)”，其“元件”栏中有26种规格JFET管可供调用。

　　(17). 选中“N沟道MOS功率管(POWER_MOS_N)”，其“元件”栏中有116种规格N沟道MOS功率管可供调用。