湖南大功率紧急按钮定做

　　电子开关的散热设计与可靠性提升

　　大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。

　　它的栅与其它电间是缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。

　　N沟道增强型MOS管的工作原理

　　（1）vGS对iD及沟道的控制作用

　　① vGS=0 的情况

　　从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏d和源s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源间没有导电沟道，所以这时漏电流iD≈0。

　　(14). 选中“滤波器(PILTERS)”，其“元件”栏中有34种滤波器可供调用。(15). 选中“场效应管驱动器(MOSFET_DRIVER)”，其“元件”栏中有29种场效应管驱动器可供调用。

　　(16). 电源功率控制器(POWER_SUPPLY_CONTROLLER)中的“元件”栏中有3种电源功率控制器可供调用。

　　(17). 选中“混合电源功率控制器(MISCPOWER)”，其“元件”栏中有32种混合电源功率控制器可供调用。

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　　(6). 选中“集成达林顿管阵列(DARLINGTON_ARRAY)”，其“元件”栏中有8种规格集成达林顿管可供调用。(7). 选中“带阻NPN型晶体管(BJT_NRES)”，其“元件”栏中有71种规格带阻NPN型晶体管可供调用。(8). 选中“带阻PNP型晶体管(BJT_PRES)”，其“元件”栏中有29种规格带阻PNP型晶体管可供调用。

　　(9). 选中“晶体管阵列(BJT_ARRAY)”，其“元件”栏中有10种规格晶体管阵列可供调用。

　　MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。