详细说明
应该指出，纯的氧化锡或氧化铟、氧化钛都是绝缘体，只有当它们的组成偏离了化学比以及产生晶格缺陷和进行掺杂时才能成为半导体。
用非涂布的方法，如物理气相沉积法（PVD)法、溅射法、离子喷镀法等制成的掺杂CuIXuSXdS等都属无机盐类导电填料。
Cul具有导电性的原因是Cu+的晶格缺陷造成的p型导电。在Cul晶格中，由于有 Cu+的空穴，因此过剩。为了保持电中性，产生了 Cu2+，形成空穴导电即P型半导体导电。
Cul除用做填料外，也可以用PVD法制成透明导电膜。
Cul与吡啶及其衍生物形成的络合物作为导电材料，使用普通胶黏剂和溶剂可制成表面电阻。