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　　快恢复.超快恢复二极管的结构特点

　　快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同.它是在P型.N型硅材料中间增加了基区I.构成P-I-N硅片.由于基区很薄.反向恢复电荷很小.不仅大大减小了trr值.还降低了瞬态正向压降.使管子能承受很高的反向工作电压.快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒.正向压降约为.V.正向电流是几安培至几千安培.反向峰值电压可达几百到几千伏.超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小.使其trr可低至几十纳秒. 

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