2012年，在金融都市-上海，数位行业精英共襄盛举，立志做中国优质的金属材料供应商，成立了上海锦町新材料科技有限公司。
我们的愿景:致力于做以客户需求为导向的整条制造供应链上的解决方案的系统供应商.针对特殊应用及个性化构件共同制定解决方案，从而选择合适的材料并确定订制原材料组合及制造流程。
我们提供金属加工领域的一站式技能知识服务，冲压，CNC DIECASTING,电镀，焊接。
通过资源整合与共享，公司为众多知名汽车电子连接器,传感器,继电器，控制器等生产商提供各种高性能铜合金，配套分条加工，异型材加工，表面处理，角料回收等一站式服务，同时联合知名高校进行新材料应用研发，为新兴产业的智造升级提供整体解决方案,公司拥有的“高.精.专”服务团队，以“匠心智造,你我同行”为宗旨, 以市场需求为导向,深入行业把握产品，为企业以及行业前沿企业提供价值产品和服务。
公司生产的材料有异型铜带、异形铜带、U形铜带、凹形铜带、CuFe10（CFA90）、CuFe5（CFA95）、C50710(CuSn2Ni0.3P/MF202)、C50715(CuSn2Fe0.1P/KLF5)、C15100(CuZr0.1)、C19010(CuNiSi/STOL76)、C18080(CuCrAgFeTiSi)、C18070(CuCrSiTi)、C18400/C18150(CuCrZr)、C14415(CuSn0.15/C14410)、C19400（CuFe2P）、C51100（CuSn4）、C70250(CuNi3Si)、C10300(SE-Cu/Cu-HCP（IACS 98%）T1、C10300(SE-Cu/Cu-PHC(IACS 100)/T1、C11000(E-Cu/Cu-ETP/C1100/T2)、C72700（CuNi9Sn6）、C72900（CuNi15Sn8）、Cu-01S、Cu01、FeNi42（4J42/Nilo42）、C64775（C7025-Sn）、C12000(SW-Cu/Cu-DLP)/C1201/TP1、C12200(SF-Cu/Cu-DHP)/C1220/TP2、C10100(OF-Cu/Cu-OFE)/C1011/TU2、C51100(CuSn4/C5110)、C51000(CuSn5/C5100)、C19002(CuNiSi)、C70260(CuNi2Si)、C19040(CuSn1.2Ni0.8P0.07/CAC5)、C19025(NB109)、C26000(CuZn30/C2600)、C26800(CuZn33/C2680)、C27200(CuZn37/C2720)
材料介绍
C64775是一款高性能铜镍硅合金材料，高强中导。
主要应用于笔记本，台式电脑的内存卡，显卡，CPU插口，TYPE-C类连接器。
标准
| DIN | EN | ASTM | JIS |
| C7025-Sn | / | C64775 | / |
化学成分:
| Cu | 余量 |
| Ni | 2.2-4.2 |
| Si | 0.25-1.2 |
| Sn | 0.05--1.0 |
物理特性:
| 密度（比重）（g/cm3） | 8.8 |
| 导电率{ IACS%（20℃）} | 37-40 |
| 弹性模量（KN/mm2） | 132 |
| 热传导率{W/(m*K)} | 180 |
| 热膨胀系数（ 10-6/℃ 20/℃ ~100/℃） | 17.5 |
物理性能
| 厚度mm | 抗拉强度 | 屈服强度 | 延伸率 A50 | 硬度 | 弯曲试验 |
| 90°（R/T） | 180°（R/T） |
| （Rm，MPa） | （Rp0.2，MPa） | （%） | （HV） | GW | BW | GW | BW |
| 0.08-0.3 | 830-890 | 800-860 | 3-10 | 255-280 | 0.5-1.5 | 1.0-1.5 | / | / |
电镀服务(材料+电镀)
| 电镀项目 | 种类 | 镀层厚度 (um) | 打底厚度(um) | 裸材厚度 （mm） | 裸材宽度（mm） |
| 电镀锡Sn种类 | 亮锡 （Bright tin） | 1.0-10.0 | Ni/Cu1.0-2.5 | 0.05-3 | 8-110 |
| 雾锡 （Matte tin） | 1.0-10.0 | Ni/Cu 1.0-2.5 | 0.05-3 | 8-110 |
| 回流镀锡 （reflow tin） | 0.8-2.5 | Cu ＜1.5 | 0.1-1.0 | 9.0-610.0 |
| 热浸镀锡 （Hot Dip Tin） | 1.0-20.0 | / | 0.2-1.2 | 12.0-330.0 |
| 电镀镍Ni （雾、亮） | 电镀镍 （nickel） | 7.0max | Cu ＜1.5 | 0.05-3.0 | ＜250.0 |
| 电镀银 Ag | 电镀银 （silver） | 0.5-2.0 | Ni ＜1.5 | 0.05-3.0 | ＜150.0 |
| 条镀金Au/银Ag | 选镀金/银 （gold/silver） | 0.5-2.0 | Ni＜1.5 | 0.05-1.0 | 8.0-150.0 |
分条服务
| 厚度（mm） | 宽度（mm） | 材料种类 |
| 0.005-0.8 | 0.8-620 | 不锈钢，铜合金 |
| 0.05-1.0 | 0.8-620 | 镍、铝带 |
| 0.01-0.8 | 4.0-620 | 硅钢，非晶带 |
材料包装
行业相关信息
随着市场发展，锂离子电池需要具有更高的能量密度、更长的使用寿命和更高的功率表现。据外媒报道，阿科玛集团（Arkema）的电池解决方案可以满足其中很多要求。电极材料的研究进展解决了能量密度问题，而全新电解质系统可以显著提高寿命和功率性能。尤其是LiFSI，有望成为LiPF6的优质替代品之一，用作电解液中的锂盐。
（图片来源:chargedev）
目前，LiFSI主要用作电解质中的添加剂，而LiPF6仍是主要锂盐。少量LiFSI通过与固体电解质界面膜相互作用，提高低温性能、寿命和存储稳定性。
此外，使用LiFSI大量代替LiPF6，可以获得更好的性能。用LiFSI代替LiPF6，可以实现更高的离子电导率（图1a）和更高的电解质迁移数。因此，比起基于LiPF6的电解质，在NMC811/石墨电芯中，基于LiFSI的电解质，具有更高的倍率性能（图1b）。
图1:LiFSI电解质溶液的离子电导率和倍率性能
增加LiFSI/LiPF6的比率，可提高45°C下的寿命以及存储老化（Calendar Aging，随时间发生的容量损耗），这是因为LiFSI具有更高的热稳定性和化学稳定性，比LiPF6产生的HF更少。
在电解液中加入较高浓度的LiFSI(1wt%、4wt%和10wt%)，剩余的盐为LiPF6。经过200次循环后，NMC532/石墨电芯的容量保持率有所提高(图2a)。
在电解液中加入10wt%的LiFSI，而不4wt%(图2b)。然后，在70°C、100% SOC的条件下，将NMC/石墨电芯保存两周，其容量恢复能力更高。
图 2:LiFSI电解质的容量保持率和存储老化
LiFSI的另一优点在于其高溶解度，有利于形成高浓度电解液。这种电解质日益受到关注，因其盐/溶剂配位结构可以缓解甚至抑制电解液的易燃性、高压分解，以及锂金属负极上的枝晶生长。
在1M LiFSI in DME下，以0.5 mA/cm²的电流密度进行枝晶测试，经过连续几天的锂剥离和电镀后，观察到枝晶生长，如同通过增强电芯极化所揭示的（图 3a）。另一方面，在高浓度电解质（4M LiFSI in DME）中，由于锂金属上形成了更稳定和紧凑的富锂固态电解质膜（SEI），枝晶生长受到抑制（图 3b）。
图3:LiFSI在锂金属负极电芯的性能表现
值得一提的是，当使用更高浓度的LiFSI，而不仅仅将其作为添加剂时，LiFSI盐的纯度具有重要意义。尤其是合成过程中产生的氟、硫酸盐或氯等某些离子，会通过不同机制对电池性能产生不利影响，即使数量很小，如百万分之几。这会增加电解液在高压下的副反应，在SEI中相互作用，导致镀锂，甚至引起铝集流器腐蚀。
阿科玛正在生产超高纯度产品——FORANEXT®商标下的LiFSI盐。这种盐即使在没有LiPF6的情况下也能有效钝化铝(图4)；在4.4V的Li/Al纽扣电芯中测得的残余电流非常低，在EC/EMC（3:7,vol.）中1M LiFSI下非常稳定。
图4:4.4V计时电流法
为了将FORANEXT® LiFSI与市场上的其他LiFSI进行比较，研究人员测量LiFSI水溶液中的pH值。在循环或储存过程中，酸性物质的存在可能导致形成HF，从而降低pH值，随着时间推移，纯度也会降低。在循环后，比较由不同LiFSI来源制成的水溶液中的pH值和容量保持率，超高纯度FORANEXT® LiFSI表现出最佳性能（图 5）。由于容量保持率取决于特定杂质的性质，pH值和容量保持率之间并不总存在直接联系。然而，通过减少杂质总量， FORANEXT® LiFSI经过200次循环后表现出最佳容量保持率。由此可以看出，大规模取代LiPF6时，需要使用超高纯度LiFSI。
图5:不同LiFSI来源的pH值和容量保持率
总的来说，在电解质中，用LiFSI部分取代LiPF6，可以提高锂离子电池的倍率性能和容量保持性能。LiFSI也有望成为LiPF6的替代品，用于开发能量密度更高的新锂离子电池技术（如锂金属电池）。对于其中LiFSI浓度高于添加剂量的应用，使用超高纯度LiFSI才能实现最佳性能，如FORANEXT LiFSI。
来源:上海锦町新材料科技整理自网络
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