2012年，在金融都市-上海，数位行业精英共襄盛举，立志做中国优质的金属材料供应商，成立了上海锦町新材料科技有限公司。
我们的愿景:致力于做以客户需求为导向的整条制造供应链上的解决方案的系统供应商.针对特殊应用及个性化构件共同制定解决方案，从而选择合适的材料并确定订制原材料组合及制造流程。
我们提供金属加工领域的一站式技能知识服务，冲压，CNC DIECASTING,电镀，焊接。
通过资源整合与共享，公司为众多知名汽车电子连接器,传感器,继电器，控制器等生产商提供各种高性能铜合金，配套分条加工，异型材加工，表面处理，角料回收等一站式服务，同时联合知名高校进行新材料应用研发，为新兴产业的智造升级提供整体解决方案,公司拥有的“高.精.专”服务团队，以“匠心智造,你我同行”为宗旨, 以市场需求为导向,深入行业把握产品，为企业以及行业前沿企业提供价值产品和服务。
公司生产的材料有异型铜带、异形铜带、U形铜带、凹形铜带、CuFe10（CFA90）、CuFe5（CFA95）、C50710(CuSn2Ni0.3P/MF202)、C50715(CuSn2Fe0.1P/KLF5)、C15100(CuZr0.1)、C19010(CuNiSi/STOL76)、C18080(CuCrAgFeTiSi)、C18070(CuCrSiTi)、C18400/C18150(CuCrZr)、C14415(CuSn0.15/C14410)、C19400（CuFe2P）、C51100（CuSn4）、C70250(CuNi3Si)、C10300(SE-Cu/Cu-HCP（IACS 98%）T1、C10300(SE-Cu/Cu-PHC(IACS 100)/T1、C11000(E-Cu/Cu-ETP/C1100/T2)、C72700（CuNi9Sn6）、C72900（CuNi15Sn8）、Cu-01S、Cu01、FeNi42（4J42/Nilo42）、C64775（C7025-Sn）、C12000(SW-Cu/Cu-DLP)/C1201/TP1、C12200(SF-Cu/Cu-DHP)/C1220/TP2、C10100(OF-Cu/Cu-OFE)/C1011/TU2、C51100(CuSn4/C5110)、C51000(CuSn5/C5100)、C19002(CuNiSi)、C70260(CuNi2Si)、C19040(CuSn1.2Ni0.8P0.07/CAC5)、C19025(NB109)、C26000(CuZn30/C2600)、C26800(CuZn33/C2680)、C27200(CuZn37/C2720)
材料介绍
该材料显著特点是:高强度、高导电、高精度和高的抗软化温度，又兼具适宜的加工性能，电镀钎焊性能。
主要用于集成电路和电子分立器件的制作,电子工业接插件等。
标准
| GB/T | DIN | EN | ASTM | JIS |
| QFe2.5 | CuFe2P2.1310 | CuFe2PCW107C | C19400 | C19400 |
化学成分
| Cu | 余量 |
| Fe | 2.1-2.6 |
| Zn | 0.05-0.2 |
| P | 0.015-0.15 |
物理特性
| 密度（比重）（g/cm3） | 8.9 |
| 导电率IACS%（20℃）} | 60min |
| 弹性模量（KN/mm2） | 121 |
| 热传导率{W/(m*K)} | 280 |
| 热膨胀系数（ 10-6/℃ 20/℃ ~100/℃） | 17.7 |
物理性能
| 状态 | 抗拉强度 | 屈服强度 | 延伸率 A50 | 硬度 | 弯曲试验 |
| 90°（R/T） |
| （Rm，MPa） | （Rp0.2，MPa） | （%） | （HV） | GW | BW |
| R300 | 300-340 | 240max | 20min | 80-100 | 0 | 0 |
| R340 | 340-390 | 240min | 10min | 100-120 | 0 | 0 |
| R370 | 370-430 | 330min | 6min | 120-140 | 0 | 0 |
| R420 | 420-480 | 380min | 3min | 130-150 | 0.5 | 0.5 |
| R470 | 470-530 | 440min | 4min | 140-160 | 0.5 | 0.5 |
| R530 | 530-570 | 470min | 5min | 150-170 | 1 | 1 |
材料应用
集成电路和电子分立器件的制作,电子工业接插件等
电镀服务(材料+电镀)
| 电镀项目 | 种类 | 镀层厚度 (um) | 打底厚度(um) | 裸材厚度 （mm） | 裸材宽度（mm） |
| 电镀锡Sn种类 | 亮锡 （Bright tin） | 1.0-10.0 | Ni/Cu1.0-2.5 | 0.05-3 | 8-110 |
| 雾锡 （Matte tin） | 1.0-10.0 | Ni/Cu 1.0-2.5 | 0.05-3 | 8-110 |
| 回流镀锡 （reflow tin） | 0.8-2.5 | Cu ＜1.5 | 0.1-1.0 | 9.0-610.0 |
| 热浸镀锡 （Hot Dip Tin） | 1.0-20.0 | / | 0.2-1.2 | 12.0-330.0 |
| 电镀镍Ni （雾、亮） | 电镀镍 （nickel） | 7.0max | Cu ＜1.5 | 0.05-3.0 | ＜250.0 |
| 电镀银 Ag | 电镀银 （silver） | 0.5-2.0 | Ni ＜1.5 | 0.05-3.0 | ＜150.0 |
| 条镀金Au/银Ag | 选镀金/银 （gold/silver） | 0.5-2.0 | Ni＜1.5 | 0.05-1.0 | 8.0-150.0 |
分条服务
| 厚度（mm） | 宽度（mm） | 材料种类 |
| 0.005-0.8 | 0.8-620 | 不锈钢，铜合金 |
| 0.05-1.0 | 0.8-620 | 镍、铝带 |
| 0.01-0.8 | 4.0-620 | 硅钢，非晶带 |
材料包装
行业相关信息
据外媒报道，功率电子器件技术L导者Eggtronic宣布，推出混合无线交流电源专利技术E2WATT，可同时作为交流电源和高速无线传输系统中的发射器，从而确保能量效率和能量传输距离，但其成本低于传统无线技术。
（图片来源:eetimes）
传统Qi无线设备的传输距离通常为5mm，max传输功率通常max为30W。E2WATT技术可在超过其6倍的距离（可达40mm）内，提供高达300W的功率，这是电感标准的真正突破。
Eggtronic执行官兼创始人Igor Spinella表示，E2WATT专有技术由GaN半桥和dsPIC33微控制器支持，将传统电源适配器和Qi无线发射器结合在一起，从而提G效率。
E2WATTⓇ无线技术直接由交流电源供电，无需外部电源。这种单级混合解决方案的效率显著提高，max可达 95%。
E2WATT采用了Navitas半导体公司的GaN技术，因为硅无法提供足够的开关频率。GaNFast中包括GaN开关（一种场效应晶体管），将单片集成模拟驱动电路和数字逻辑电路集成在同一芯片上，作为GaN功率器件。GaNFast电源IC的额定频率为2MHz。运行速度快有助于减少快速充电系统的尺寸和功率转换成本。
Microchip的16位微控制器业务部副总裁Joe Thomsen表示: “Microchip Technology的dsPIC33微控制器具有强大的DSP内核、高速ADC和高分辨率PWM，可以支持 Eggtronic开发的专有系统架构，从而T升性能和充电距离。我们与 Eggtronic合作开发的发射器设计可与特定的Qi标准兼容，同时在功能和性能方面具有高度差异化。”
这些特性有助于降D解决方案的总成本、提高性能和可用性，以及减少二氧化碳排放，提高能源可持续性。此外，受益于专有的能量接收技术，E2WATT允许接收器温度显着下降。对现代智能手机和笔记本电脑来说，这将有助于提高充电性能，比如充电速度（与温度密切相关）和用户体验。
无线交流电源E2WATT带来了全新场景。Eggtronic将为全球若干Z负盛名的公司开发消费、工业和汽车解决方案，同时推出基于该技术的多种零售产品。
来源:上海锦町新材料科技整理自网络
上海锦町新材料科技有限公司