镇江回收西门子模块厂家

　　块设备的注册和注销该函数用来向内核注册自己。参数是该设备的主设备号及其名字（内核在/proc/devices中显示的名字）。如果传递的主设备号是0，内核将分派一个新的主设备号给设备，并将该设备号返回给调用者，如果返回一个负值，说明发生了错误。在linux设备驱动程序一书中指出:在内核2.6中，对register_blkdev的调用时可选的，该函数所执行的功能间的推移而越来越少。事实上，应该比较核心的向内核注册设备的工作应该是放在add_disk函数中实现，在第3.3节中描述该函数。

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　　RAM可以分为:静态的RAM，也就是SRAM，和动态RAM，既DRAM。SRAM是数据被写上之后，就保持较为稳定的状态，因此不需要定期去刷新数据，一般CPU内部的高速缓存（cache）就是SRAM。而DRAM，是动态的，一般是以电荷的形式进行存储，也就是数据被存储在电容器，电容器因为漏电会导致电荷的流失，所以需要在定期地进行数据的刷新，我们常说的SDRAM、DDRSDRAM都是属于DRAM的范畴，一般将其理解为内存比较好理解。

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　　地址(Address)的USB设备在加电复位以后都使用缺省地址。每一设备在连接或复位后由主机分配一个唯一的地址。当USB设备处于挂起状态时，它保持这个地址不变。USB设备只对缺省通道(Pipe)请求发生响应，而不管设备是否已经被分配地址或在使用缺省地址。配置状态(Configured)在USB设备正常工作以前，设备被正确配置。从设备的角度来看，配置包括一个将非零值写入设备配置寄存器的操作。配置一个设备或改变一个可变的设备设置会使得与这个相关接口的终端结点的的状态与配置值被设成缺省值。这包括将正在使用(datetoggle)的结点(endpoint)的(Datetoggle)被设置成DATA0。

　　ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。