湖州回收西门子主机上门回收电话

　　RAM可以分为:静态的RAM，也就是SRAM，和动态RAM，既DRAM。SRAM是数据被写上之后，就保持较为稳定的状态，因此不需要定期去刷新数据，一般CPU内部的高速缓存（cache）就是SRAM。而DRAM，是动态的，一般是以电荷的形式进行存储，也就是数据被存储在电容器，电容器因为漏电会导致电荷的流失，所以需要在定期地进行数据的刷新，我们常说的SDRAM、DDRSDRAM都是属于DRAM的范畴，一般将其理解为内存比较好理解。

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　　ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。

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　　USB主机和USB设备之间进行数据交互，USB设备本身并没有总线控制权，U盘被动地接收USB主机发送过来的信息并做出响应。USB主机控制器与根集线器构成了主机系统，然后外接其它的USB设备。为了地探测到根集线器的状态变化，USB主机控制器驱动增加了状态轮询函数，以一定的时间间隔轮询根集线器状态是否发生变化。一旦根集线器状态发生变化，主机控制器就会产生相应的响应。USB主机和USB设备之间的数输以URB(USBRequestBlock)的形式进行。

　　将驱动与应用放在同一个层级，这显然是的不合理，因为不符合高内聚、低耦合。内聚:要求模块的内部，紧密结合，实现的功能专一低耦合:要求模块之间耦合度低（模块与模块之间联系少，使之模块与模块之间独立性好），当修改模块的时候，不会因耦合度高，而动一发而牵全身，在低耦合的情况下，低耦合的模块，只需要修改本模块的代码就可以。当在应用层里面直接进行驱动硬件的时候，那么这种情况是更为糟糕的，因为没有通过单独设计驱动模块，也就是说，这些驱动的代码没有被重用（每一个需要驱动硬件的时候，就需要重新编写代码）