天津回收西门子触摸屏公司

　　NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，存储量小。NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。内容寻址RAM（CAM）:以内容进行寻址的存储器，是一种的存储阵列RAM，它的主要工作机制就是同时将一个输入的数据与存储在CAM中的数据自动进行比较，判断该输入数据项与CAM中存储单元的数据项是否相匹配，并输出该数据项对应的匹配信息。FIFO:先出队列:特点是先出，进出有序,FIFO多用于数据缓冲。

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　　可知，设备端驱动包含两部分:底层设备控制器驱动上层大容量存储类驱动设备控制器驱动USB设备控制器驱动主要实现GadgetAPI定义的函数和中断服务函数，可按功能划分为:API函数实现模块和中断处理模块。中断处理模块主要处理设备控制器产生的各种中断，包括端点中断、复位、挂起等中断。上图为设备端控制器基本架构，主要完成了Gadget驱动和控制器驱动绑定、注册。HCD:主机控制器驱动UDC:设备端控制器驱动OTG设备支持HNP和SRP协议。OTG设备通过USBOTG电缆连接到一起，其中接Mini-A接口的设备为A设备，默认为主机端，Mini-B接口的设备默认为B设备。当A、B设备完成数据交互之后，A、B设备之间的USBOTG电缆进入挂起状态:向A设备发起HNP请求。待A设备响应之后，A设备发送a_set_b_hnp_en，B设备响应之后即进入主机状态，同时发送请求使用A设备set_device，这样A、B设备完成主从交换。

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　　主流的ARM移动处理芯片供应商有:高通，三星，英伟达，美满，联发科，海思。处理器的体系结构:冯.诺依曼结构（程序指令存储器和数据存储器合并在一起的存储结构）。指令集:RISC（精简指令集计算机）和CISC（复杂指令集计算机）。CISC强调增强指令的能力，减少目标代码数量，但指令复杂，指令周期长。RISC强调尽量减少指令集，指令单周期执行，但是目标代码会更大。数字信号处理器:针对通信，图像，语音，视频处理等领域的算法设计。它包含的硬件乘法器，DSP的乘法指令一般在单周期内完成，且优化了卷积，数字滤波，FFT，相关矩阵运算等算法中的大量重复乘法。

　　ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。