湖北回收三菱FX3U-32MT/ES厂家电话

　　对于ROM来说，现在一般都是EEPROM（也就是点可擦除编程ROM），走的是IIC协议，后面就会学到。对于flash而言，intel在88年开发的norflash，彻底更改了EEPROM一桶添加的面，NORFlash的接口书类似于SRAM的接口，所以可以通过CPU的数据总线以及地址总线访问设备，不在需要而外的控制电路，因为接口是类SRAM的，所以就支持XIP（executeinplace），也就是程序可以直接在nor上面被CPU加载运行。

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　　将驱动与应用放在同一个层级，这显然是的不合理，因为不符合高内聚、低耦合。内聚:要求模块的内部，紧密结合，实现的功能专一低耦合:要求模块之间耦合度低（模块与模块之间联系少，使之模块与模块之间独立性好），当修改模块的时候，不会因耦合度高，而动一发而牵全身，在低耦合的情况下，低耦合的模块，只需要修改本模块的代码就可以。当在应用层里面直接进行驱动硬件的时候，那么这种情况是更为糟糕的，因为没有通过单独设计驱动模块，也就是说，这些驱动的代码没有被重用（每一个需要驱动硬件的时候，就需要重新编写代码）

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　　服务至上:我们对客户资料信息以及服务内容严修保密，多项合作案例，以品质服务赢得了广大客户的信赖。公司秉承诚信为主、服务至上的经营理念，凭借雄厚的资金实力与先进的技术，获得客户广泛好评

　　NandFlash的接口则不是，NANDFlash拥有属于自己的接口，这些接口虽然是可以通过GPIO进行模拟，但是因为有NandFlash的控制器，所以一般是通过NandFlash的控制器进行控制。NandFlash比NORflash而言，存储量比较的大，起码是一个数量级，而且写入速度也是快了很多。Flash的编程原理是稚嫩通过将1写为0，不能将0写为1，也就是falsh编程之前，进行块的擦除，其实就是将整个数据块设置为1（0XFF），后续写入的数据，为1的时候，就不需要更改，写入为0的时候，就将1变为0。

　　哈佛结构:比如现在的ARM9、ARM11、Cortex系列。是将程序指令与数据进行分开的存储，也就是说，指令和数据可以有不同的数据宽度；同时，人们还采用了独立的总线，既程序总线和数据总线，分别为程序指令和数据通道，加快了执行的效率。哈佛结构的原理图:冯诺依曼结构:也被橙汁为普林斯顿结构，比如之前的ARM7、MIPS系列的处理器。是程序指令存储器与数据存储器合并在一起的存储器结构，程序指令存储地址以及数据存储地址指向了同一个存储器的不同物理地址，此时要求程序指令和数据的宽度是相同的。程序指令和数据走的是同一条总线。