详细说明
Yb3+:YAB是少数几个具有多功能特性的代表之一:作为一种负单轴晶体,它还具有非线性光学特性,可通过二阶非线性过程将红外辐射直接转换为可见光。高浓度Yb3+离子可以包含在YAB晶体基体中,浓度猝灭很小。Yb:Yab晶体具有良好的机械强度,良好的导热性能和稳定的化学性能。
掺Yb铝酸钇Yb3+, (Yb3+YAP)是一种双轴正交晶体。YAP晶体的硬度和热导率与YAG相似,但具有很高的各向异性热膨胀系数,且具有双折射特性。发射波长偏振,而发射和吸收截面是强烈依赖于晶体的定向。Yb:YAP晶体的吸收截面高于Yb:YAG晶体。
与YAG相比,Yb3+:YLF激光晶体具有更好的热光学性能,其大的热导率提供了有效的热量提取。Yb3+:YLF具有宽的发射截面,其发射波长的峰值与Yb3+:Sr3Y(BO3)3和Yb3+:Ca4GdO(BO3)3激光晶体中的峰值相当。此外,YLF晶体具有较高的掺镱性能。
Yb:YVO4晶体主要特点:
-简单的电子结构排除了激发态吸收和各种有害的猝灭过程。
-宽光发射光谱
-低量子缺陷
-可根据要求提供定制水晶
Yb:YVO4晶体主要应用:
-高功率连续波调Q锁模激光器
-薄盘激光器。
Yb:YVO4晶体技术特性:
吸收峰波长 | 985 nm |
峰值吸收截面 | 7.5×10-20厘米2 |
峰值吸收带宽 | 5 nm |
激光波长 | 1027 nm |
2F5/2镱能级的寿命 | 250 μs |
发射截面@1027 nm | 0.5×10-20厘米2 |
折射率@1064 nm | n0=1.93,ne=2.1 |
晶体结构 | 四边形 |
密度 | 4.22克/厘米3 |
Mohs硬度 | 5 |
热导率 | ~5 Wm-1K-1 |
DN/DT | 8.41×10-6(//c)k-1, 15.5×10-6((//a)k-1 |
热膨胀系数 | 1.5×10-6(//a)k-1, 8.2×10-6(//c)k-1 |
典型掺杂水平 | 1%-3% |
Yb:YVO4晶体产品规格:
定向 | A-切 |
透明孔径 | >90% |
面尺寸公差 | +0/-0,1毫米 |
长度公差 | ±0,1毫米 |
平行度误差 | <10 arcsec |
垂直度误差 | <10 arcmin |
保护槽 | <0,1 mm at 45˚ |
表面质量 | 10-5 S-D |
表面平整度 | <λ/10@6328 nm |
涂层 | Ar(R<0,25%)@985 nm+AR(R<0,15%)@1000-1070 nm |
激光损伤阈值 | >10 J/cm2@1030 nm,10 ns |
Yb:YVO4晶体产品型号
SKU | 面尺寸 | 长度 | 端面 | 定向 | 掺杂 | 涂层 | 价格(RMB) |
7844 | 3x3毫米 | 5毫米 | 直角切割 | 五切 | 1% | AR/Ar@985纳米+1000-1070 nm | 5700 |
7845 | 5x5毫米 | 5毫米 | 直角切割 | 五切 | 1% | AR/Ar@985纳米+1000-1070 nm | 5700 |
7846 | 3x3毫米 | 5毫米 | 布鲁斯特切 | 五切 | 1% | 无涂层 | 5200 |
7847 | 5x5毫米 | 5毫米 | 布鲁斯特切 | 五切 | 1% | 无涂层 | 5200 |
7848 | 3x3毫米 | 2毫米 | 直角切割 | 五切 | 3% | AR/Ar@985纳米+1000-1070 nm | 5200 |
7849 | 5x5毫米 | 2毫米 | 直角切割 | 五切 | 3% | AR/Ar@985纳米+1000-1070 nm | 5700 |
7850 | 3x3毫米 | 2毫米 | 布鲁斯特切 | 五切 | 3% | 无涂层 | 5200 |
7851 | 5x5毫米 | 2毫米 | 布鲁斯特切 | 五切 | 3% | 无涂层 | 5200 |
Yb:Yab晶体主要特点:
-自倍频激光晶体
-高导热率
-976 nm附近宽吸收带宽
-高吸收和高发射截面
-低量子缺陷
Yb:Yab晶体主要应用:
-高功率连续激光器
-锁模飞秒激光器
-连续波锁模自倍频激光器
Yb:Yab晶体技术特性:
吸收峰波长 | 976 nm |
峰值吸收截面 | 3.8×10-20厘米2 |
峰值吸收带宽 | 20 nm |
激光波长 | 1040 nm |
寿命2F5/2能级 | 680 μs |
发射截面@1040 nm | 0.5×10-20厘米2 |
折射率@632.8 nm | n0=1.7757,ne=1.7015 |
晶体结构 | 三角状 |
密度 | 3.84克/厘米3 |
Mohs硬度 | 7.5 |
热导率 | ~6 Wm-1K-1 |
DN/DT | 1.4×10-6(//a)k-1, 4.8×10-6(//c)k-1 |
热膨胀系数 | 2×10-6(//a)k-1, 9.5×10-6(//c)k-1 |
典型掺杂水平 | 5-8% |
Yb:Yab晶体产品型号:
SKU | 面尺寸 | 长度 | 端面 | 定向 | 掺杂 | 涂层 | 价格(RMB) |
12826 | 3x3毫米 | 2毫米 | 直角切割 | C-切 | 10% | AR/AR(R<0,5%)@960-1060 nm | 5700 |
12827 | 3x3毫米 | 2毫米 | 布鲁斯特角切割 | C-切 | 10% | 无涂层 | 5200 |
12828 | 3x3毫米 | 2毫米 | 直角切割 | θ=31°,φ=0° | 10% | AR/Ar@520+976+1040 nm | 请求 |
Yb:YAP晶体的主要特点:
-双轴正交晶体
-高吸收介子截面依赖于晶体的取向
-高导热率
-低量子缺陷
-可根据要求提供定制水晶
Yb:YAP晶体的主要应用:
-飞秒激光器和再生放大器
-连续和被动锁模薄盘激光器
Yb:YAP晶体的技术特性:
吸收峰波长 | 978 nm |
峰值吸收截面 | 6.6×10-20厘米2 |
峰值吸收带宽 | 4nm |
激光波长 | 1040 nm |
寿命2F5/2能级 | 500 μs |
发射截面@1040 nm | 0.5×10-20厘米2 |
折射率@632.8 nm | 1.96(//a),1.94(//b),1.97(/c) |
晶体结构 | 正交性 |
密度 | 5.35克/厘米3 |
Mohs硬度 | 8.5 |
热导率 | 11.7 (//a), 10.0 (//b), 13.3 (//c) W/m*K |
DN/DT | 7.7×10-6(//a) K-1, 11.7×10-6(//b) K-1,8.3×10-6(//c) K-1 |
热膨胀系数 | 2.32×10-6(//a) K-1, 8.08×10-6(//b) K-1,8.7×10-6(//c) K-1 |
典型掺杂水平 | <2 at.% |
Yb:YAP晶体的产品规格:
定向 | A-切 |
透明孔径 | >90% |
面尺寸公差 | +0/-0,1毫米 |
长度公差 | ±0,1毫米 |
平行度误差 | <10 arcsec |
垂直度误差 | <10 arcmin |
保护槽 | <0,1 mm at 45˚ |
表面质量 | 10-5 S-D |
表面平整度 | <λ/10@6328 nm |
涂层 | Ar(R<0,25%)@978 nm+AR(R<0,15%)@1020-1070 nm |
激光损伤阈值 | >10 J/cm2@1030 nm,10 ns |
Yb:YAP晶体的产品型号:
SKU | 面尺寸 | 长度 | 端面 | 掺杂 | 涂层 | 价格 |
7825 | 3x3毫米 | 5毫米 | 直角切割 | 1% | AR/Ar@978nm+1020-1070 nm | 780欧元 |
7826 | 3x3毫米 | 5毫米 | 布鲁斯特切 | 1% | 无涂层 | 700欧元 |
Yb:YLF晶体的主要特点:
-简单的电子结构排除了激发态吸收和各种有害的猝灭过程。
-宽光发射光谱
-宽调谐范围
-吸收光谱与InGaAs激光二极管的发射波长很好地匹配。
-低量子缺陷
-可根据要求提供定制水晶
Yb:YLF晶体的主要应用:
-二极管泵浦锁模激光器
-薄盘激光器
Yb:YLF晶体的技术特性:
吸收峰波长 | 960 nm |
峰值吸收截面 | 10.5×10-21厘米2 |
峰值吸收带宽 | ~10 nm |
激光波长 | 1017 nm |
寿命2F5/2能级 | 2.1毫秒 |
发射截面@1053 nm | 4.1×10-21厘米2 |
折射率@1040 nm | ~1.4 |
晶体结构 | 四边形 |
密度 | 3.95克/厘米3 |
Mohs硬度 | 5 |
热导率 | 6 Wm-1K-1 |
DN/DT | -4.6×10-6(//c)k-1, -6.6×10-6(//a)k-1 |
热膨胀系数 | 8×10-6(//c)k-1, 13×10-6(//a)k-1 |
典型掺杂水平 | 5%-20% |
Yb:YLF晶体的产品规格:
定向 | A-切 |
透明孔径 | >90% |
面尺寸公差 | +0/-0,1毫米 |
长度公差 | ±0,1毫米 |
平行度误差 | <10 arcsec |
垂直度误差 | <10 arcmin |
保护槽 | <0,1 mm at 45˚ |
表面质量 | 10-5 S-D |
表面平整度 | <λ/10@6328 nm |
涂层 | Ar(R<0,5%)@960 nm+AR(R<0,15%)@1000~1060 nm |
激光损伤阈值 | >10 J/cm2@1030 nm,10 ns |