详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOY423
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封装：TO251B
万代P沟道功率MOS管 AOY423 采用TO251B封装
一般说明
AOD423/AOI423/AOY423采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK/IPAK封装的出色耐热性，该器件非常适合大电流负载应用。
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | TO251B |
| Configuration | Single |
| Polarity | P |
| VDS(V) | -30 |
| VGS(±V) | 25 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 8.50 |
| ID@ 25°C (A) | -70 |
| PD@ 25°C (W) | 90 |
| Qg(10V)(nC) | 45 |
| VGS(th) max (V) | -3.50 |
| Ciss(pF) | 2760 |
| Coss(pF) | 550 |
| Crss(pF) | 375 |
| Qgd(nC) | 12 |
| tD(on) (ns) | 13 |
| tD(off) (ns) | 35 |
| Trr(ns) | 15 |
| Qrr(nC) | 30 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 175 |