详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOWF412
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封装：TO262F
AOS万代 AOWF412 单N沟道MOSFET 耐压100V
一般的描述
AOWF412采用sdmost沟槽技术制造，该技术结合了出色的RDS(ON)，低栅极电荷和低Qrr。结果是卓越的效率和控制的开关行为。这种通用技术非常适合PWM，负载开关和通用应用。
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | TO262F |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 100 |
| VGS(±V) | 25 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 15.80 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 7V | 19.40 |
| ID@ 25°C (A) | 30 |
| PD@ 25°C (W) | 33 |
| Qg(10V)(nC) | 45 |
| VGS(th) max (V) | 3.80 |
| Ciss(pF) | 2680 |
| Coss(pF) | 280 |
| Crss(pF) | 100 |
| Qgd(nC) | 15 |
| tD(on) (ns) | 19 |
| tD(off) (ns) | 27 |
| Trr(ns) | 22 |
| Qrr(nC) | 96 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 175 |