详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOWF11S60
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封装：TO262F
AOS正品 AOWF11S60 单N沟道高压功率MOSFET
一般说明
AOW11S60和AOWF11S60采用先进的aMOSTM高压工艺制造，旨在为开关应用提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS（on）、Qg和EOSS以及有保证的雪崩能力，这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
Parametrics
| Status | Obsolete |
|---|
| Package | TO262F |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 600 |
| VGS(±V) | 30 |
| ID@ 25°C (A) | 11 |
| PD@ 25°C (W) | 28 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 399 |
| Qg(10V)(nC) | 11 |
| VGS(th) max (V) | 4.10 |
| Ciss(pF) | 545 |
| Coss(pF) | 37.30 |
| Crss(pF) | 1.42 |
| Qgd(nC) | 3.80 |
| tD(on) (ns) | 20 |
| tD(off) (ns) | 59 |
| Trr(ns) | 250 |
| Qrr(nC) | 3300 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |