详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOW11S65
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封装：TO262
功率MOSFET AOW11S65 万代N沟道高压晶体管
一般说明
AOW11S65和AOWF11S65采用先进的aMOSTM高压工艺制造，旨在为开关应用提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS（on）、Qg和EOSS以及有保证的雪崩能力，这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
Parametrics
| Status | Obsolete |
|---|
| Package | TO262 |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 650 |
| VGS(±V) | 30 |
| ID@ 25°C (A) | 11 |
| PD@ 25°C (W) | 198 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 399 |
| Qg(10V)(nC) | 13.20 |
| VGS(th) max (V) | 4 |
| Ciss(pF) | 646 |
| Coss(pF) | 42 |
| Crss(pF) | 1.10 |
| Qgd(nC) | 4.30 |
| tD(on) (ns) | 25 |
| tD(off) (ns) | 77 |
| Trr(ns) | 278 |
| Qrr(nC) | 4200 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |