详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOU4N60
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封装：TO251
万代MOS管 AOU4N60 高性能N沟道高压MOSFET
一般说明
AOD4N60、AOI4N60和AOU4N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的交流直流应用提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS（on）、Ciss和Crss以及有保证的雪崩能力，这些部件可以快速地应用于新的和现有的离线电源设计中。
Parametrics
| Status | Obsolete |
|---|
| Replacement Parts | AOI1R4A70 |
| Package | TO251 |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 600 |
| VGS(±V) | 30 |
| ID@ 25°C (A) | 4 |
| PD@ 25°C (W) | 104 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 2300 |
| Qg(10V)(nC) | 12 |
| VGS(th) max (V) | 4.50 |
| Ciss(pF) | 528 |
| Coss(pF) | 53 |
| Crss(pF) | 4.80 |
| Qgd(nC) | 4.40 |
| tD(on) (ns) | 17 |
| tD(off) (ns) | 34 |
| Trr(ns) | 190 |
| Qrr(nC) | 2400 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |