美国万代 AOTF5N50FD 万代N沟道高压MOSFET

　　一般说明

　　AOTF5N50FD采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的AC-DC应用提供高水平的性能和紧凑性。通过提供低RDS（on）、Ciss和Crss以及有保证的雪崩能力，这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

　　特征

　　VDS 600V@150℃

　　ID（VGS=10V时）5-A

　　RDS（ON）（VGS=10V时）<1.5Ω

　　100% UIS测试

　　100% Rg测试

　　科瑞芯电子秉持[追求品质、专业诚信、持续创新]的理念，为客户提供工业标品质、低成本的半导体件，提供专业技术支援及完整的解决方案。持续追求、不断创新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。