新批次 AOTF3N90 万代900V高压N沟道MOSFET

　　一般说明

　　AOTF3N90采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的AC-DC应用提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS（on）、Cissand Crss以及有保证的雪崩能力，这部分可以快速应用于新的和现有的非易燃电源设计中。

　　对于无卤素，在零件号后添加“L”后缀:AOTF3N90L

　　产品目录

　　VDS 1000V@150℃

　　ID（VGS=10V时）2.4A

　　RDS（ON）（VGS=10V时）<6.7Ω

　　100%UIS测试

　　100%Rg测试

　　科瑞芯电子秉持[追求品质、专业诚信、持续创新]的理念，为客户提供工业标品质、低成本的半导体件，提供专业技术支援及完整的解决方案。持续追求、不断创新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。