AOTF12N30 万代N沟道MOSFET 中压300V晶体管

　　一般说明

　　AOT12N30/AOTF12N30采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和紧凑性。通过提供低RDS（on）、Ciss和Crss以及有保证的雪崩能力，这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。这些部件是消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器的理想选择。

　　产品目录

　　VDS 350V@150℃

　　ID（VGS=10V时）11A

　　RDS（ON）（VGS=10V时）<0.42Ω

　　100%UIS测试

　　100%Rg测试

　　科瑞芯电子秉持[追求品质、专业诚信、持续创新]的理念，为客户提供工业标品质、低成本的半导体件，提供专业技术支援及完整的解决方案。持续追求、不断创新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。