详细说明
-
产品参数
-
品牌：AOS/万代
-
型号：AOT5N100
-
封装：TO220
AOS原装 AOT5N100 N沟道高压MOSFET场效应管
一般说明
AOT5N100和AOTF5N100采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的AC-DC应用提供高水平的性能和紧凑性。通过提供低RDS（on）、Ciss和Crss以及有保证的雪崩能力，这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | TO220 |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 1000 |
| VGS(±V) | 30 |
| ID@ 25°C (A) | 4 |
| PD@ 25°C (W) | 195 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 4200 |
| Qg(10V)(nC) | 19 |
| VGS(th) max (V) | 4.50 |
| Ciss(pF) | 950 |
| Coss(pF) | 62 |
| Crss(pF) | 6 |
| Qgd(nC) | 6.50 |
| tD(on) (ns) | 27 |
| tD(off) (ns) | 50 |
| Trr(ns) | 450 |
| Qrr(nC) | 5500 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |