详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOT430
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封装：TO220
场效应晶体管 AOT430 万代N沟道增强型MOS管
一般说明
AOT430采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。标准产品AOT430无铅（符合ROHS和索尼259规范）。
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | TO220 |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 75 |
| VGS(±V) | 25 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 11.50 |
| ID@ 25°C (A) | 80 |
| PD@ 25°C (W) | 268 |
| Qg(10V)(nC) | 114 |
| VGS(th) max (V) | 4 |
| Ciss(pF) | 4700 |
| Coss(pF) | 400 |
| Crss(pF) | 180 |
| Qgd(nC) | 18 |
| tD(on) (ns) | 21 |
| tD(off) (ns) | 70 |
| Trr(ns) | 53 |
| Qrr(nC) | 143 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 175 |