详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOT1N60
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封装：TO220
万代MOSFET AOT1N60 N沟道高压功率晶体管
一般说明
AOT1N60采用先进的高电压MOSFET工艺制造，旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS（on）、Ciss和Crssalong以及有保证的雪崩能力，这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | TO220 |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 600 |
| VGS(±V) | 30 |
| ID@ 25°C (A) | 1.30 |
| PD@ 25°C (W) | 41.70 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 9000 |
| Qg(10V)(nC) | 6.10 |
| VGS(th) max (V) | 4.50 |
| Ciss(pF) | 130 |
| Coss(pF) | 14.50 |
| Crss(pF) | 1.80 |
| Qgd(nC) | 3.10 |
| tD(on) (ns) | 10 |
| tD(off) (ns) | 20 |
| Trr(ns) | 114 |
| Qrr(nC) | 630 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |