详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AONT21313C
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封装：DFN2x2-6L
AOS万代 AONT21313C P沟道MOSFET 耐压30V
一般说明
最新先进沟槽技术
低RDS（ON）
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
应用
笔记本电脑交流负载开关
蓄电池保护充电/放电
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | DFN2x2-6L |
| Configuration | Single |
| Polarity | P |
| VDS(V) | -30 |
| VGS(±V) | 20 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 32 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 4.5V | 55 |
| ID@ 25°C (A) | -7.40 |
| PD@ 25°C (W) | 2.70 |
| Qg(4.5V)(nC) | 11 |
| Qg(10V)(nC) | 22 |
| VGS(th) max (V) | -2.20 |
| Ciss(pF) | 1100 |
| Coss(pF) | 120 |
| Crss(pF) | 105 |
| Qgd(nC) | 6.50 |
| tD(on) (ns) | 12 |
| tD(off) (ns) | 55 |
| Trr(ns) | 12 |
| Qrr(nC) | 17 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | Yes |
| Tj max (°C) | 150 |