详细说明
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产品参数
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品牌:AOS/万代
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型号:AONS66919
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封装:DFN5x6-8L
功率MOS晶体管 AONS66919 万代100V场效应管
一般说明
沟槽动力AlphaSGT TM技术
低RDS(ON)
逻辑电平驱动
卓越的Qg x RDS(ON)产品(FOM)
无铅电镀,符合RoHS和无卤素标准
应用
高频开关与同步整流
Parametrics
Status | Full Production |
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Package | DFN5x6-8L |
Configuration | Single |
Polarity | N |
VDS(V) | 100 |
VGS(±V) | 20 |
RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 5.90 |
RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 4.5V | 7.90 |
ID@ 25°C (A) | 85 |
PD@ 25°C (W) | 113 |
Qg(10V)(nC) | 47 |
Qg(4.5V)(nC) | 22 |
VGS(th) max (V) | 2.60 |
Ciss(pF) | 3400 |
Coss(pF) | 1700 |
Crss(pF) | 240 |
Qgd(nC) | 5 |
tD(on) (ns) | 11 |
tD(off) (ns) | 43 |
Trr(ns) | 36 |
Qrr(nC) | 214 |
Qualification | Industrial |
ESD Diode | No |
Tj max (°C) | 150 |