详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AONS66612T
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封装：DFN5x6-8L
美国AOS万代 AONS66612T N沟道功率MOSFET
一般说明
沟槽动力AlphaSGT TM技术
低RDS（ON）
低栅极电荷
针对快速切换应用进行了优化
符合RoHS和无卤素标准
应用
DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
工业和电机驱动应用
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | DFN5x6-8L |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 60 |
| VGS(±V) | 20 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 1.65 |
| ID@ 25°C (A) | 100 |
| PD@ 25°C (W) | 250 |
| Qg(10V)(nC) | 78 |
| Qg(4.5V)(nC) | 20 |
| VGS(th) max (V) | 3.50 |
| Ciss(pF) | 5300 |
| Coss(pF) | 1500 |
| Crss(pF) | 50 |
| Qgd(nC) | 20 |
| tD(on) (ns) | 18 |
| tD(off) (ns) | 40 |
| Trr(ns) | 30 |
| Qrr(nC) | 135 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 175 |