万代MOS管 AONS30302 N沟道热插拔MOSFET

　　General Description

　　Trench Power MOSFET technology

　　Low RDS(ON)

　　Low Gate Charge

　　High Current Capability

　　RoHS 2.0 and Halogen-Free Compliant

　　Applications

　　High performance ORing, Efuse

　　Ultra high current battery charge/discharge

　　Product Summary

　　VDS 30V

　　ID（VGS=10V）480A

　　RDS（ON）（VGS=10V）<0.85mΩ

　　RDS（ON）（VGS=4.5V）<4.6mΩ

　　100% UIS Tested

　　100% Rg Tested

　　Max Tj=175°C