详细说明
-
产品参数
-
品牌：AOS/万代
-
型号：AONS21357
-
封装：DFN5x6-8L
AOS万代 AONS21357 P沟道MOSFET 产品参数
一般说明
最新的先进沟槽技术
低RDS（ON）
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
应用
笔记本电脑交流负载开关
蓄电池保护充电/放电
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | DFN5x6-8L |
| Configuration | Single |
| Polarity | P |
| VDS(V) | -30 |
| VGS(±V) | 25 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 7.80 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 4.5V | 12.30 |
| ID@ 25°C (A) | -36 |
| PD@ 25°C (W) | 48 |
| Qg(4.5V)(nC) | 25 |
| Qg(10V)(nC) | 50 |
| VGS(th) max (V) | -2.30 |
| Ciss(pF) | 2830 |
| Coss(pF) | 430 |
| Crss(pF) | 365 |
| Qgd(nC) | 12 |
| Trr(ns) | 62 |
| Qrr(nC) | 32 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |