详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AONS1R1A70
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封装：DFN5x6-8L
原装正品 AONS1R1A70 万代N沟道高压MOSFET
一般说明
专有aMOS5TM技术
低RDS（ON）
优化开关参数以获得更好的EMI性能
增强型体二极管，坚固耐用，反向恢复速度快
应用
SMPS的反激
充电器、适配器、照明
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | DFN5x6-8L |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 700 |
| VGS(±V) | 20 |
| ID@ 25°C (A) | 6.60 |
| PD@ 25°C (W) | 104 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 1100 |
| Qg(10V)(nC) | 10 |
| Ciss(pF) | 461 |
| Coss(pF) | 15 |
| Crss(pF) | 1.40 |
| Qgd(nC) | 2.80 |
| tD(on) (ns) | 16 |
| tD(off) (ns) | 33 |
| Trr(ns) | 200 |
| Qrr(nC) | 2000 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |