详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AONR30310
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封装：DFN3.3x3.3-8L
万代30V场效应管 AONR30310 低压MOS晶体管
一般说明
沟槽式功率MOSFET技术
低RDS（ON）
低栅极电荷
高电流能力
符合RoHS 2.0和无卤素标准
应用
负载开关
电池保护
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | DFN3.3x3.3-8L |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 30 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 1.20 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 4.5V | 3.70 |
| VGS(±V) | 20 |
| ID@ 25°C (A) | 190 |
| PD@ 25°C (W) | 69 |
| Qg(4.5V)(nC) | 60 |
| Qg(10V)(nC) | 102 |
| VGS(th) max (V) | 1.65 |
| Ciss(pF) | 5400 |
| Coss(pF) | 1580 |
| Crss(pF) | 1450 |
| Qgd(nC) | 40 |
| tD(on) (ns) | 10 |
| tD(off) (ns) | 44 |
| Trr(ns) | 25 |
| Qrr(nC) | 58 |
| Tj max (°C) | 150 |
| Qualification | Industrial |