详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AONR21117
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封装：DFN3x3A-8L
万代P沟道MOSFET AONR21117 符合RoHS标准
一般说明
沟槽式功率MOSFET技术
低RDS（ON）
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
应用
负载开关
电池保护
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | DFN3x3A-8L |
| Configuration | Single |
| Polarity | P |
| VDS(V) | -20 |
| VGS(±V) | 8 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 4.5V | 4.80 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 2.5V | 7.20 |
| ID@ 25°C (A) | -34 |
| PD@ 25°C (W) | 43 |
| Qg(4.5V)(nC) | 63 |
| VGS(th) max (V) | -1.10 |
| Ciss(pF) | 6560 |
| Coss(pF) | 770 |
| Crss(pF) | 700 |
| Qgd(nC) | 19 |
| Trr(ns) | 38 |
| Qrr(nC) | 105 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |