AOS场效应管 AON6850 N沟道中压功率MOSFET

　　一般说明

　　AON6850采用SDMOSTM沟槽技术制造，该技术将出色的RDS（ON）与低栅极电荷和低Qrr相结合。结果是具有受控开关行为的出色效率。这种通用技术非常适合PWM、负载切换和通用应用。

　　产品目录

　　VDS 100V

　　ID（VGS=10V时）34A

　　RDS（ON）（VGS=10V时）<11.3mΩ

　　RDS（ON）（VGS=4.5V时）<13.8mΩ

　　100%UIS测试

　　100%Rg测试

　　科瑞芯电子秉持[追求品质、专业诚信、持续创新]的理念，为客户提供工业标品质、低成本的半导体件，提供专业技术支援及完整的解决方案。持续追求、不断创新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。