AOS万代 AON6812 低压共漏电池MOSFET晶体管

　　General Description

　　Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology

　　Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS

　　Low Gate Charge

　　ESD protection

　　RoHS and Halogen-Free Compliant

　　Common Drain

　　Integrated Temp Sense Diode

　　Application

　　Battery Management

　　Product Summary

　　VDS 30V

　　ID（VGS=10V）85A

　　RDS（ON）（VGS=10V）<2.8mΩ

　　RDS（ON）（VGS=4.5V）<3.5mΩ

　　Typical ESD protection HBM Class 3A

　　100% UIS Tested

　　100% Rg Tested