详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AON6810
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封装：DFN5x6-8L
美国AOS万代 AON6810 低压共漏电池MOSFET
一般说明
最新沟槽电源AlphaMOS（αMOS LV）技术
4.5V VGS下的极低RDS（ON）
低栅极电荷
ESD保护
符合RoHS和无卤素标准
共漏极
集成温度检测二极管
应用
电池管理
Parametrics
| Status | Obsolete |
|---|
| Package | DFN5x6-8L |
| Configuration | Common Drain |
| Polarity | N |
| VGS(±V) | 20 |
| PD@ 25°C (W) | 31 |
| Qg(4.5V)(nC) | 11 |
| VGS(th) max (V) | 2.20 |
| Ciss(pF) | 1720 |
| Coss(pF) | 746 |
| Crss(pF) | 61 |
| Qgd (nC) | 3.20 |
| tD(on) (ns) | 5.80 |
| tD(off) (ns) | 57.50 |
| Trr(ns) | 20 |
| Qrr(nC) | 30 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | Yes |
| Tj max (°C) | 150 |