详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AON6512
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封装：DFN5x6-8L
AOS万代 AON6512 高性能N沟道30V低压MOSFET
一般说明
最新沟槽电源AlphaMOS（αMOS LV）技术
4.5VGS时RDS（ON）极低
低栅极电荷
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
应用
计算、服务器和POL中的DC/DC转换器
电信和工业中的隔离DC/DC转换器
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Replacement Parts | AON6312 |
| Package | DFN5x6-8L |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 30 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 1.70 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 4.5V | 2.40 |
| VGS(±V) | 20 |
| ID@ 25°C (A) | 150 |
| PD@ 25°C (W) | 83 |
| Qg(4.5V)(nC) | 25 |
| Qg(10V)(nC) | 53 |
| VGS(th) max (V) | 2 |
| Ciss(pF) | 3430 |
| Coss(pF) | 1327 |
| Crss(pF) | 175 |
| Qgd(nC) | 10.30 |
| tD(on) (ns) | 7.50 |
| tD(off) (ns) | 33.80 |
| Trr(ns) | 22 |
| Qrr(nC) | 58 |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |
| Qualification | Industrial |