详细说明
-
产品参数
-
品牌：AOS/万代
-
型号：AON6407
-
封装：DFN5x6-8L
AON6407 万代P沟道MOS晶体管 封装DFN5x6-8L
一般说明
AON6407将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS（ON）。该设备非常适合负载开关和电池保护应用。
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | DFN5x6-8L |
| Configuration | Single |
| Polarity | P |
| VDS(V) | -30 |
| VGS(±V) | 25 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 4.50 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 6V | 6 |
| ID@ 25°C (A) | -85 |
| PD@ 25°C (W) | 83 |
| Qg(10V)(nC) | 75 |
| VGS(th) max (V) | -2.60 |
| Ciss(pF) | 3505 |
| Coss(pF) | 900 |
| Crss(pF) | 650 |
| Qgd(nC) | 23 |
| tD(on) (ns) | 14 |
| tD(off) (ns) | 94 |
| Trr(ns) | 35 |
| Qrr(nC) | 75 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |