详细说明
-
产品参数
-
品牌：AOS/万代
-
型号：AON6312
-
封装：DFN5x6-8L
万代低压MOS管 AON6312 N沟道30V功率晶体管
一般说明
沟槽式功率MOSFET技术
低RDS（ON）
低栅极电荷
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
应用
计算中的DC/DC转换器
电信和工业中的隔离DC/DC转换器
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | DFN5x6-8L |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 30 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 1.85 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 4.5V | 2.50 |
| VGS(±V) | 20 |
| ID@ 25°C (A) | 130 |
| PD@ 25°C (W) | 50 |
| Qg(4.5V)(nC) | 20 |
| Qg(10V)(nC) | 43 |
| VGS(th) max (V) | 2.20 |
| Ciss(pF) | 3100 |
| Coss(pF) | 875 |
| Crss(pF) | 105 |
| Qgd(nC) | 6 |
| tD(on) (ns) | 11.50 |
| tD(off) (ns) | 40 |
| Trr(ns) | 17 |
| Qrr(nC) | 36 |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |
| Qualification | Industrial |