详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOD4185
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封装：TO252
场效应管 AOD4185 万代P沟道MOSFET晶体管
一般说明
AOD4185/AOI4185采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。凭借DPAK/IPAK封装的出色耐热性，该器件非常适合大电流应用。
-符合RoHS标准
-无卤素
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | TO252 |
| Configuration | Single |
| Polarity | P |
| VDS(V) | -40 |
| VGS(±V) | 20 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 15 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 4.5V | 20 |
| ID@ 25°C (A) | -40 |
| PD@ 25°C (W) | 62.50 |
| Qg(4.5V)(nC) | 18.60 |
| Qg(10V)(nC) | 42 |
| VGS(th) max (V) | -3 |
| Ciss(pF) | 2550 |
| Coss(pF) | 280 |
| Crss(pF) | 190 |
| Qgd(nC) | 8.60 |
| tD(on) (ns) | 9.40 |
| tD(off) (ns) | 55 |
| Trr(ns) | 38 |
| Qrr(nC) | 47 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 175 |