详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOD3N60
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封装：TO252
场效应管 AOD3N60 万代N沟道高压功率晶体管
一般说明
AOD3N60和AOU3N60是使用先进的高压MOSFET工艺制造的，该工艺旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和紧凑性。通过提供低RDS（on）、Ciss和Crss以及有保证的雪崩能力，这些部件可以快速地应用于新的和现有的离线电源设计中。
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | TO252 |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 600 |
| VGS(±V) | 30 |
| ID@ 25°C (A) | 2.50 |
| PD@ 25°C (W) | 56.80 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 3500 |
| Qg(10V)(nC) | 9.90 |
| VGS(th) max (V) | 5 |
| Ciss(pF) | 304 |
| Coss(pF) | 31.40 |
| Crss(pF) | 3.30 |
| Qgd(nC) | 4.60 |
| tD(on) (ns) | 17 |
| tD(off) (ns) | 24 |
| Trr(ns) | 175 |
| Qrr(nC) | 1400 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 150 |