详细说明
-
产品参数
-
品牌：AOS/万代
-
型号：AOCR32326
-
封装：RigidCSP6x2.5_8
AOS万代 AOCR32326 双N沟道低压共漏MOSFET
一般说明
► 沟槽式功率MOSFET技术
► 低RSS（ON）
► 具有ESD保护功能，可提高电池性能和安全性
► 共漏极连接以简化设计
► 符合RoHS和无卤素标准
应用
► 蓄电池保护开关
► 移动设备电池充电和放电
Parametrics
| Status | Obsolete |
|---|
| Configuration | Common Drain |
| Polarity | N |
| Vss(V) | 30 |
| VGS(±V) | 20 |
| IS@ 25°C (A) | 28 |
| PD@ 25°C (W) | 2.75 |
| Qg(4.5V)(nC) | 142 |
| VGS(th) max (V) | 2.30 |
| RSS(ON)max (mΩ) at VGS=10V | 2.60 |
| RSS(ON)max (mΩ) at VGS=4.5V | 4.20 |
| tD(on) (ns) | 20 |
| tD(off) (ns) | 85 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | Yes |
| Tj max (°C) | 150 |