AOB7S65L 万代N沟道高压MOSFET 封装TO263

　　一般说明

　　AOT7S65L、AOB7S65L和AOTF7S65L以及AOTF7S65采用先进的aMOSTM高压工艺制造，旨在为开关应用提供高水平的性能和鲁棒性。

　　通过提供低RDS（on）、Qg和EOSS以及有保证的雪崩能力，这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

　　产品目录

　　VDS@Tj，750V

　　IDM 30A

　　RDS（ON），0.65Ω

　　Qg，典型值9.2nC

　　在400V电压下，电流为2μJ

　　100% UIS测试

　　100% Rg测试

　　科瑞芯电子秉持[追求品质、专业诚信、持续创新]的理念，为客户提供工业标品质、低成本的半导体件，提供专业技术支援及完整的解决方案。持续追求、不断创新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。