详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOB66935L
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封装：TO263
AOB66935L AOS万代 高性能N沟道场效应MOS管
一般说明
< 沟槽电源AlphaSGTTM技术
< 低RDS（ON）和宽安全操作区（SOA）的结合
< 更高的浪涌电流可实现更快的启动和更短的停机时间
< 符合RoHS 2.0和无卤素标准
应用
< 负载开关
< BMS
< 热插拔
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | TO263 |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 100 |
| VGS(±V) | 20 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 2.80 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 6V | 5.80 |
| ID@ 25°C (A) | 180 |
| PD@ 25°C (W) | 500 |
| Qg(10V)(nC) | 170 |
| VGS(th) max (V) | 3.20 |
| Ciss(pF) | 15400 |
| Coss(pF) | 3100 |
| Crss(pF) | 80 |
| Qgd(nC) | 15 |
| tD(on) (ns) | 40 |
| tD(off) (ns) | 112 |
| Trr(ns) | 60 |
| Qrr(nC) | 550 |
| Qualification | Industrial |
| Tj max (°C) | 175 |