详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOB66918L
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封装：TO263
AOS原装正品 AOB66918L 万代N沟道中压MOS管
一般说明
< 沟道功率MOSFET-AlphaSGTTM技术
< 低RDS（ON）和宽安全操作区（SOA）的结合
< 更高的浪涌电流可实现更快的启动和更短的停机时间
< 符合RoHS和无卤素标准
应用
< 电信
< 工业电源
< 负载开关
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | TO263 |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 100 |
| VGS(±V) | 20 |
| ID@ 25°C (A) | 120 |
| PD@ 25°C (W) | 375 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 5 |
| Qg(10V)(nC) | 75 |
| VGS(th) max (V) | 3.70 |
| Ciss(pF) | 6500 |
| Coss(pF) | 3200 |
| Crss(pF) | 30 |
| Qgd(nC) | 15 |
| tD(on) (ns) | 26 |
| tD(off) (ns) | 53 |
| Trr(ns) | 80 |
| Qrr (nC) | 790 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 175 |