详细说明
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产品参数
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品牌：AOS/万代
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型号：AOB282L
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封装：TO263
供应AOS万代 AOB282L N沟道中压功率MOSFET
一般说明
AOT282L和AOB282L采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）、Ciss和Coss的组合极低，传导和开关功率损耗都降至最低。该设备是消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器的理想选择。
Parametrics
| Status | Full Production |
|---|
| Package | TO263 |
| Configuration | Single |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 80 |
| VGS(±V) | 20 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 10V | 3.20 |
| RDS(ON)max (mΩ) at VGS= 6V | 4.90 |
| ID@ 25°C (A) | 105 |
| PD@ 25°C (W) | 272.50 |
| Qg(10V)(nC) | 127 |
| Qg(4.5V)(nC) | 58 |
| VGS(th) max (V) | 3.50 |
| Ciss(pF) | 7765 |
| Coss(pF) | 960 |
| Crss(pF) | 66 |
| Qgd(nC) | 21 |
| tD(on) (ns) | 24 |
| tD(off) (ns) | 55 |
| Trr(ns) | 40 |
| Qrr(nC) | 320 |
| Qualification | Industrial |
| ESD Diode | No |
| Tj max (°C) | 175 |