FM25V01A-GTR 128 英飞凌128Kbit存储器芯片 深圳热销中

　　特性

　　■ 128 Kbit 铁电性随机存储器（F-RAM）被逻辑组织为16K × 8

　　高耐久性:100 万亿（1014）次的读/ 写操作

　　151 年的数据保留时间（请参考数据保留时间与耐久性表）

　　NoDelay™ 写操作

　　高级高可靠性的铁电工艺

　　■ 非常快的串行外设接口（SPI）

　　工作频率可高达40 MHz

　　串行闪存和EEPROM 的硬件直接替代

　　支持SPI 模式0 （0,0）和模式3 （1,1）

　　■ 精密的写入保护方案

　　使用写保护（WP）引脚提供硬件保护

　　使用写禁用指令提供软件保护

　　可为1/4、1/2或整个阵列提供软件模块保护

　　■ 器件ID

　　制造商ID和产品ID

　　■ 低功耗

　　当频率为40MHz 时，有效电流为2.5mA

　　待机电流为150mA

　　睡眠模式电流为8mA

　　■ 工作电压较低:VDD = 2.0 V 到3.6 V

　　■ 工业温度范围:–40 °C 到+85 °C

　　■ 8引脚小型塑封集成电路（SOIC）封装

　　■ 符合有害性物质限制（RoHS）