致新开关芯片 G509H10DTP1G TSOT-23-6封装

　　概述

　　G509是一款集成电源开关，适用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用。G509xxxxT11G和G509x25DTB1G为67mΩ RDS（ON）。此外，G509N02DT73G为120mΩ RDS（ON）。此外，G509x3xDxx1G为37mΩ RDS（ON）。

　　一些保护功能包括电流限制和热关闭，以防止在连续重负载或短路发生时，由于功耗增加而导致的灾难性开关故障。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的N沟道MOSFET，以消除开关断电时流过开关的任何反向电流。当输出电压高于输入电压时，电源开关由内部输出反向保护比较器关闭。

　　OC是一种漏极开路输出报告过电流或过温事件，具有典型的9ms deglitch超时时间。

　　功能

　　< 67mΩ高边MOSFET（G509xxxxT11G，G509x1SDTB1G）

　　< 120mΩ高边MOSFET（G509N02DT73G）

　　<37mΩ高边MOSFET（G509x3xDxx1G）

　　<有9个版本的电流限制可折叠。

　　<工作范围:2.7V至5.5V

　　<2mS典型上升时间

　　<快速过电流响应1.5μs（典型）

　　<欠压锁定

　　<130μA静态电源电流

　　<1μA zui大关闭电源电流

　　<逻辑电平启用引脚。可用于Active-High、Active Low或Enable Selection版本

　　<断电时无反向电流

　　<无故障漏极过电流标志输出(OC)

　　<可带或不带输出停机下拉电阻器

　　<电源接通时的输出反向保护

　　

　　应用

　　<高压侧电源保护开关

　　

　　

　　

　　<热插拔电源

　　<蓄电池充电器电路