P沟道MOS场效应管 BRD50P06 蓝箭电子原装

　　描述

　　TO-252塑封封装P沟道MOS场效应管。

　　特征

　　<门电荷低

　　<开关速度快

　　<无卤产品

　　用途（用于低压电路如:）

　　<汽车电路

　　<便携式产品的电源高效转换

　　电气特性（Ta=25℃）

　　< 漏极-源极击穿电压:-60~-68V

　　< 零栅极电压漏极电流

　　VDS=-60V VGS=0V:-1.0μA

　　VDS=-48V TC=150℃:-10μA

　　< 门体正向泄漏电流:±0.1μA

　　< 栅极阈值电压:-1V-1.6V-3V

　　< 静态漏极-源极开启-电阻

　　VGS=-10V ID=-20A:30~35mΩ

　　VGS=-4.5V ID=-10A:40~45mΩ

　　< 漏源二极管正向电压:-1.3V

　　< 栅极电阻:10Ω

　　< 输入电容:3200pF

　　< 输出电容:800pF

　　< 反向传输电容:270pF

　　< 栅极总电荷Qg（10V）:45nC

　　< 栅极总电荷Qg（4.5V）:23nC

　　< 栅极-源极电荷:9.3nC

　　< 栅极到漏极电荷:10.2nC

　　< 开机延迟时间:12ns

　　< 开机上升时间:14.5纳秒

　　< 关闭延迟时间:38ns

　　< 关闭下降时间:15ns