FM富满 8205A 20V N沟道增强型MOS场效应管 采用TSSOP-8封装

　　20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

　　RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ

　　RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ

　　RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ

　　RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ

　　RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ

　　特性

　　■ 专有的先进平面技术

　　■高密度超低电阻设计

　　■大功率、大电流应用

　　■理想的锂电池应用

　　■封装形式:TSSOP-8/SOT-23-6

　　科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。