深圳原装-MM3726-系列为高压保护IC芯片

名称:深圳原装-MM3726-系列为高压保护IC芯片

供应商:深圳市科瑞芯电子有限公司

价格:面议

最小起订量:1/PCS

地址:深圳市龙华区民治南源商业大厦1105室

手机:18576684954

联系人:林雪萍 (请说在中科商务网上看到)

产品编号:200374267

更新时间:2024-05-18

发布者IP:113.91.41.33

详细说明
产品参数
类型:高压保护IC
品牌:MITSUMI/美上美
型号:MM3726
批号:23+
产地:日本

  美上美-MM3726-锂聚合物电池保护IC-原装现货

  描述

  MM3725/MM3726系列为高压保护ICCMOS工艺的过充,过放和过流可充电锂离子或锂聚合物的保护

  电池。过度充电、过放电、放电过电流充电过流,充电时间短保护可检测单芯锂离子或锂聚合物电池。

  每个IC由四个电压检测器组成,短检测电路,参考电压源,振荡器,计数器电路和逻辑电路。

  特性

  (1)检测/释放电压的范围和精度

  超载检测电压 ............................Vdet1 .................................................3.6V至5.0V...................±20米

  5 mvstep ........................25±mv

  (Ta=-20至60°C)

  过度充电电压释放 ............................... Vrel1 ...................................................Vdet1-0.2 v到Vdet1......±30号

  5 mv一步

  过量放电检测电压 .......................Vdet2 .................................................2.0V至3.0V...................±35米

  50 mv一步

  释放过量放电电压 ........................... Vrel2 ...................................................2.0V至3.0V...................+50 / -35mV

  (如果Vdet2=Vrel2)

  50mV步长.....................+90 / -65mV

  (Vdet2≠Vrel2)

  放电过流检测电压........Vdet3 .................................................20mV到300mV.............±5 mv

  1 mv一步

  充电过流检测电压.............Vdet4 .................................................-300mV到-20mV..........±5 mv

  1 mv一步

  短检测电压 ......................................Vshort ................................................40mV到350mV.............±8%

  1 mv一步

  0V电池充电抑制电池电压......威仕特 .....................................................1.3V至1.8V/0.1V步进…±100 mv

  0.9 v ...............................±300 mv

  (2)检测延迟时间范围

  超载检测延迟时间 ....................... tVdet1 ................................................256毫秒至4.6秒

  过量放电检测延迟时间 .................. tVdet2 ................................................8ms至256ms

  放电过电流检测延迟时间……tVdet3 ................................................8ms至256ms

  充电过流检测延迟时间……tVdet4 ................................................6ms到64ms

  检测延迟时间短 ................................. tVshort ...............................................250μs到400μs

  (3)当前消费

  正常模式 .................................................... Typ。3.0 μ A,zui大6.0 μ A

  备用方案 .................................................. Max。0.1μA(使能过放锁存功能)

  zui大0.6μA(如果过放锁存功能关闭)

  4) 0 v电池充电功能 .....................................可选择“允许”或“禁止”

  5)jue对zui大评级

  VDD销 .............................................................. vss - 0.3 v + 12 v

  COUT销和V -销 .........................................VDD - 28v到VDD+0.3V

  DOUT销和CS销 ....................................... vss - 0.3 v低VDD + 0.3 v

  储存温度 .........................................-55到+125°C

  操作温度 .......................................-40到+85°C

  大纲

  特性(除非另有说明,Ta=25°C)

  1

  MM3725